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三星电子公布了2026年第二季度业绩预期,预计营业利润约为89.4万亿韩元(约合584亿美元),较去年同期增长1810%。这一数字甚至超过了英伟达上一季度的535.36亿美元营业利润。据韩国媒体报道,三星半导体高管在内部会议上表示,按照目前的盈利预测,2026年全年的利润有望超越公司过去四十年的累计总和。此次盈利激增主要得益于人工智能服务器的备货需求以及DRAM和NAND存储芯片价格的上涨。

三星在各个产业领域的成功,从家电、手机到面板和存储芯片,总是能抓住利润最高的部分,这背后可能与四十年前的一次重大决策有关。

李秉喆的半导体战略

三星将半导体确立为集团核心产业的决定可以追溯到1983年。当年2月,三星创始人李秉喆在东京宣布公司将大规模进军半导体行业,这一事件被称为“东京宣言”。当时,这一举措被认为是一场风险极高的冒险,因为三星在半导体领域的技术积累非常有限。其研发图纸源自美国美光,技术顾问也仅是日本东芝的一些退休工程师,团队的实力尚显不足。

尽管三星当时已是韩国最大的综合企业,在电视、冰箱等家电领域享有盛誉,并涉足食品、纺织、保险等多个行业,但这些优势并未能直接惠及半导体业务。半导体晶圆厂的巨额投入和快速的技术迭代,使得设备刚建成可能就已落后。同时,日本的NEC、东芝、日立等公司已在存储芯片市场占据主导地位,技术、产能和客户渠道均构成强大壁垒。三星进入半导体领域,并非参与竞争,而是要在既有格局下强行开辟道路,必须从头学习。

尽管获得了美光的64K DRAM设计授权并聘请了日本工程师,三星仍缺乏实际的工艺经验。生产线仅能勉强运转,产品质量不稳定,微小的参数偏差都会导致良率大幅下降。更糟糕的是,市场需求变化迅速,当三星勉强跟上64K DRAM的步伐时,市场已转向256K,而当生产线调试完成,全球存储芯片价格又大幅下跌。

到1986年左右,三星半导体业务累计亏损近3亿美元,银行普遍拒绝提供进一步贷款,公司内部要求“止损”的声音也日益增多。然而,李秉喆并未退缩,他认为只要公司还在牌桌上,亏损就是一种成本,而中途退出才是真正的失败。在英特尔退出内存市场、日本厂商收紧投资的同时,三星并未等待256K DRAM的盈利,而是将有限的资金全部押注于正在研发的1M DRAM。

1987年,市场触底反弹。随着个人电脑需求的增长,存储芯片市场开始回暖。当竞争对手还在修复生产线时,三星已具备了充足的产能和熟练的工程师。在连续三年亏损后,三星以更低的成本和更充足的产能,在半导体领域站稳了脚跟。三星敢于在市场低迷时期逆周期扩张,并非依靠技术领先,而是基于对存储芯片行业的深刻分析,展现了持续作战的能力,从而得以保存技术实力,继续与竞争对手较量。

同年11月,77岁的李秉喆去世,其子李健熙接任会长。此时的三星虽然在半导体行业站稳了脚跟,但面临出口产品多为低价换取份额,难以赢得欧美及日本消费者青睐的结构性问题,这种“有规模、无溢价”的矛盾在1993年显现。

从规模追赶到质量与技术变革

上世纪90年代,随着韩国出口热潮,三星的冰箱、录像机等产品进入欧美和日本市场。然而,由于产品质量与一线品牌存在明显差距,三星的产品只能依靠低价在货架角落谋求生存。与此同时,三星的工厂仍然盲目追求出货量,忽视了市场上强烈的质量反馈。

对此,日本顾问福田民郎提交了一份详尽的报告,指出了三星在设计、研发和管理上的深层问题。李健熙高度重视,为让高管们认识到问题的严重性,他组织了一次在德国法兰克福的会议,旨在让他们亲身体验德国式的工匠精神。会议结束时,李健熙发表了三星转折点式的宣言:“除了妻子和孩子,一切都要改变。”

这句话广为流传,但真正改变三星运营模式的是其考核机制的根本性转变。此前,三星工厂只追求产量,改革后,质量管理部门获得了“一票否决权”,可以随时叫停生产线。三星也调整了发展方向,不再跟随日本企业技术路线,而是将资源集中于设计和核心技术,力求掌握主动权。

这一转变并非易事。1995年,三星发现一批手机和传真机存在质量问题。李健熙下令将十几万部问题产品在厂区内公开销毁,此次行动直接造成500亿韩元的损失,但也彻底打破了“产量第一”的旧有秩序,低价竞争的模式被正式终结。

在李秉喆为三星叩开高科技制造大门后,李健熙的任务是结束跟随战略,建立三星自身的技术话语权。这场改革不仅限于质量检查,三星还收缩了产能投入,将资源集中于设计、核心零部件和自主研发。OLED技术也成为三星在显示领域从追赶者转向技术主导者的关键一步。

长期以来,LCD一直是显示市场的主流技术。这种技术依赖荧光灯背光模组,但在显示效果上存在明显局限。即便是所谓的“LED电视”,本质上仍是LCD,仅将背光源改为LED,成像原理未变,形态上的瓶颈依然存在。真正的突破在于OLED,它无需背光模组,像素独立发光,在对比度、厚度和可塑性方面具有天然优势。此外,去除厚重的背光层后,OLED可以配合柔性基板实现弯曲甚至折叠,为曲面屏和折叠屏的出现奠定了技术基础。

然而,在2002年,OLED仍被视为一项“超前技术”。当时,LCD技术已经非常成熟,成本不断下降,广泛应用于电视、电脑和手机市场。OLED造价高昂且回报难以预测,业界普遍持否定态度。但三星已开始布局AMOLED,并于当年建立了开发线,次年建立了量产线,2007年实现了大规模生产。

事实上,三星的这一举动并非纯粹的前瞻性,而是受到自身终端业务的倒逼。当时三星同时开发手机终端和面板产能,前者对轻薄、功耗和边框尺寸的严格要求,迫使上游技术路线进行重构。这对三星而言,既是内部终端的刚性需求,也是屏幕技术路线的主动调整。因此,三星在维持LCD现金流的同时,将资源倾斜至AMOLED,提前锁定了下一代手机屏幕的产能。此后的行业格局证明了这一选择的必要性。

2010年起,三星的Galaxy系列带动AMOLED迅速占领高端市场,甚至促使苹果也转向OLED屏幕,而三星显示凭借前期积累,迅速成为其核心供应商。在现金牛业务仍处于高位时投资新赛道,成为三星摆脱追随者行列的分水岭。至此,三星既在终端市场与苹果直接竞争,又通过面板供应从每一部高端iPhone的销售中获益。

这次押注与早年攻克DRAM的路径截然不同。那时三星作为追随者,在美日之后补课,通过逆周期投入才取得成功。而OLED的选择,是在LCD仍处于盈利高峰期时,主动布局下一代产品形态,在新领域确立了先发优势。消费电子产业不乏技术构想,但关键在于敢于在现金牛业务尚能产生利润时,果断中断旧有道路,重注新赛道。三星在这方面表现得非常果断,一旦顶层决策确定,资金、工程师和终端部门便会全力投入。尽管这种高度集权的模式在韩国社会存在争议,内部治理不透明和权力过度集中也曾给三星带来代价,但在OLED这类投入巨大、回报周期长的领域,集权模式消除了冗长的内部博弈。因此,当竞争对手还在评估盈利时间表时,三星已率先行动。然而,选对方向只是获得了入场资格,真正的考验在于能否将实验室技术转化为亿级规模、规格高度统一的工业量产能力。

生产线上的创新能力

三星的NAND闪存业务也面临类似挑战,且复杂程度远超OLED。过去几十年,存储芯片行业依赖制程微缩来提高容量,即在固定晶圆面积内堆叠更多存储单元以摊薄单位成本。然而,当工艺逼近十几纳米节点时,单元间距急剧收窄,串扰、漏电流和可靠性问题集中爆发。这意味着沿用传统路径的边际效益严重倒挂,投入与产出彻底失衡。

三星的解决方案是将存储单元进行垂直堆叠,即业界熟知的V-NAND。这一技术突破了线宽对存储密度的物理限制,在容量、功耗和可靠性三个维度上都打开了优化空间。然而,在几十层堆叠的材料中蚀刻出深而笔直的通道孔,并保证每一层的尺寸和电气性能完全一致,难度极高。在生产工艺上,堆叠层数越高,生产线的误差容忍度就越小。产线上的任何一次波动,都可能导致整片晶圆报废。

这一高门槛的壁垒构成了三星在存储领域的核心防线。竞争对手即使看清了技术路线,也因难以跨越良率和设备的双重鸿沟而望而却步。支撑这道防线的是三星在三维堆叠路线上的多年技术积累。2013年,三星率先量产24层V-NAND,确立了工艺落地的先发优势。以当下的行业标准衡量,24层仅是起步门槛,但在当时,这标志着三星成功穿越了三维堆叠的技术雷区,验证了该技术路线的可行性。

自此,NAND行业的竞争焦点不再是单一地死磕平面线宽,而是逐渐转向谁能更稳定地堆叠更多存储单元,并将良率控制在盈利范围内。在三星的评估体系中,V-NAND的竞争核心是制造端的工程化耐力,即在极限工艺下维持量产稳定性。一旦成本失控或良率不达标,技术再先进也无法构成有效的商业创新。三星的优势在于将这套隐性的耐力标准和品质门槛固化为覆盖研发至生产的全流程体系。这套体系并非依赖人力堆砌,而是依托完整的研发体系。

三星的研发并非局限于实验室。业务部门负责眼前的迭代,事业部研究院关注三五年后的技术,综合技术院则负责更前沿的探索。当方案即将进入量产阶段时,设计、材料、设备、制程等部门会被整合起来协同推进。然而,这种“大而全”的结构存在先天缺陷,一度在三星内部滋生了官僚层级,也导致各部门在争夺资源时常发生矛盾。

颇具讽刺意味的是,这套在其他体系中极易引发内耗的庞大架构,反而在三星OLED和V-NAND的攻坚战中构筑了独特的壁垒。三星利用自身手机业务消化新面板,产线上遇到的材料、封装和良率难题直接反馈给研发部门解决。当手机需要更好的屏幕时,就促使面板技术升级;面板无法生产时,就反过来推动材料和制造设备改进。如此一来,研发、工厂和手机部门紧密协作,不仅大大降低了试错成本,也形成了一套自给自足的内生循环。

这套循环的运转自然需要巨额研发资金的持续投入,其核心支撑是三星跨周期的投资耐心。早期,三星依靠保险、家电的现金流哺育半导体,后来半导体和手机的利润又反哺显示、代工和下一代存储。即便在资金困难时期,三星也会尽可能保留那些短期内看不到回报的战略项目,很少因为短期的账面恶化而彻底放弃已确定的核心技术路线。2023年,全球存储芯片市场陷入低谷,三星半导体巨额亏损,随之削减存储产量,但研发和先进产线的投入并未中断。因此,当AI服务器需求突然爆发时,三星手中依然掌握着DRAM、NAND、先进制程和封装的完整能力。

然而,最先吃到AI红利的并非三星。

成功惯性与“大象转身”的成本

三星在V-NAND上押注成功,但在另一战场上却慢了半拍。2013年,SK海力士率先量产HBM(高带宽内存),并在此后绑定了英伟达AI加速器的核心供应链。在AI大模型爆发前,普通内存带宽已无法跟上芯片算力,导致算力空转等待数据。HBM通过堆叠DRAM裸片并贯通硅通孔的方式,满足了GPU的高带宽需求,迅速成为高端AI芯片的标配。

三星虽然较早布局HBM,但重心始终放在传统DRAM的产能扩张和成本控制上,错失了本轮关键的战略窗口。当ChatGPT带动AI算力投资爆发时,SK海力士已与英伟达建立了更紧密的合作验证关系,而三星的HBM3和HBM3E却在客户认证上反复受阻。2024年,三星HBM3E未能如期打入英伟达高端供应链,引发了业界对其相关工艺的质疑。尽管三星予以否认,但落后的现实已无法回避。

对于一家长期占据全球存储芯片领先地位的企业来说,手握先进制程和封装技术,却将AI时代最核心的存储订单拱手让给对手,这已不能简单归咎于市场周期,而是竞争优势的权重发生了根本性转移。在标准化DRAM时代,规模、良率和成本是决胜关键;进入HBM时代,客户协同、先进封装和联合设计取代了以往的胜负手。三星的旧有能力虽然依然强劲,但已不足以单独决定胜负。

2024年,三星悄然更换了半导体业务负责人,由长期深耕存储业务的全永铉接任,并重新整合了HBM的研发与生产资源,将DRAM、晶圆代工和先进封装纳入同一套产品方案。错失的前期订单已难以追回,追赶重心只能放在下一代HBM4上。

2026年2月,三星宣布HBM4量产,面向英伟达Vera Rubin平台供货。官方规格为每引脚11.7Gbps,最高可根据客户需求提升至13Gbps。然而,仅凭一轮出货,尚不足以认定三星已反超SK海力士。客户份额、良率爬坡和长期供货的可靠性仍需时间检验。

甚至,即便第二季度三星实现了89.4万亿韩元的营业利润,也不能全部归功于HBM。当前,AI数据中心拉动了高端存储需求,挤占了大量先进产能,进而推高了普通DRAM和NAND的价格。而三星拥有全球最大的存储产能,价格的每一次上涨都直接转化为利润。但这种增长本质上仍是一轮周期驱动的繁荣。何况,HBM4之后还有HBM4E、定制HBM以及更复杂的先进封装,AI服务器也在重新划分内存、存储和计算之间的界限。

可以说,三星刚追回一段距离,下一道难题已摆在面前。这也解释了为何业绩预告公布当天,三星股价不升反跌。投资者既担心AI资本开支能否持续,也担心存储厂商重新扩产后,当下的短缺会再次演变成过剩。

回顾外界对三星“一年顶四十年”的赞誉,这并不意味着其四十年的技术积累足以抵消曾经的战略迟滞。OLED和V-NAND的成功验证了提前换道的收益;HBM的落后则暴露了过往成功带来的反噬。正是这种深植于庞大组织的成功惯性,让三星在AI算力爆发的前夜也付出了高昂的代价。

三星当然具备创新能力,但这并非源于某个人的英明决策,更不是简单的赌徒式“敢赌”。真正支撑三星持续创新的,是其在既定战略下的持续工程化落地能力。一旦方向确认,研发、制造和终端便会同步跟进;即便判断滞后,集团仍能凭借资本厚度和技术储备,在错失窗口后重新追赶,弥补差距。未来三星能否继续坐在利润最厚的一侧,不取决于某次赚了多少钱,而取决于下一张牌桌摆出来时,它还能不能第一时间换座。

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